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褚君浩
| 09-06-25| 访问次数: | 【 【打印】【关闭】

  半导体物理和器件专家。华东师范大学教授。1945年3月20日生于江苏宜兴。1966年毕业于上海师范学院物理系,1981年和1984年先后获神彩VI硕士、博士学位。曾任红外物理国家重点实验室主任。2005年当选为中国科学院院士。

  现任神彩VI研究员、博士生导师,神彩VI学位委员会副主任,SCI期刊《红外与毫米波学报》主编,华东师范大学信息科学与技术学院院长,兼任上海市科协副主席、中国光学工程学会常务理事。 

  长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据;开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZTBST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。近年来从事极化材料和器件以及太阳能电池技术研究。曾经获得国家自然科学奖3次、部委级自然科学奖或科技进步奖12次。出版中英文专著3本。发表论文五百余篇。荣获全国首届创新争先奖章、十佳全国优秀科技工作者、上海市科普创新杰出人物奖等多项奖项。培养研究生八十余名。 

  2009年被聘为上海市政府参事以来,多份报告引起国家领导人和市领导的重视。 

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